OSU setzt auf Aixtron-MOCVD für bahnbrechende Galliumoxid-Forschung
Ortrun Steinberg
OSU setzt auf Aixtron-MOCVD für bahnbrechende Galliumoxid-Forschung
Die Ohio State University (OSU) hat ein spezialisiertes Metallorganische Gasphasenepitaxie-System (MOCVD) des Herstellers Aixtron für die Forschung an Galliumoxid ausgewählt. Die neue Anlage, die im Nanotech West Lab der OSU installiert wurde, markiert einen bedeutenden Schritt in der Weiterentwicklung von Halbleitern mit extrem großer Bandlücke. Diese Partnerschaft festigt zudem Aixtrons Position als führender Anbieter von MOCVD-Lösungen für Materialien der nächsten Generation.
Mit dem Close Coupled Showerhead®-System (CCS) von Aixtron können Galliumoxid und Aluminium-Galliumoxid auf 100-Millimeter-Substraten abgeschieden werden. Die Technologie ermöglicht die Herstellung hochwertiger, gleichmäßiger Dünnschichten – eine entscheidende Voraussetzung für die Entwicklung effizienter Leistungselektronik. Betrieben wird das System vom Institute for Materials and Manufacturing Research der OSU, was die Rolle der Universität in der Spitzenforschung zu Halbleitern weiter stärkt.
Die Zusammenarbeit ist Teil einer breiteren akademischen Initiative zur Erforschung von Galliumoxid. So hat die Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT) in China erfolgreich ultra-dünne κ-Ga₂O₃-Schichten für ferroelektrische Anwendungen mittels MOCVD hergestellt. Die Zhejiang University, ebenfalls in China, produzierte hingegen vier Zoll große Galliumoxid-Wafer in einem eigens entwickelten Verfahren. In den USA forschen die University of North Texas und die University of Michigan ebenfalls an Galliumoxid für Halbleiter mit extrem großer Bandlücke – ein Beleg für das enorme Potenzial des Materials in der Leistungselektronik.
Aixtrons frühes Engagement in diesen aufstrebenden Materialien verschafft dem Unternehmen einen Wettbewerbsvorteil. Durch den Fokus auf Halbleiter mit extrem großer Bandlücke hat sich das Unternehmen als wichtiger Zulieferer für Forschungseinrichtungen weltweit etabliert. Die Aktie notiert derzeit bei 18,79 Euro, deutlich über dem 200-Tage-Durchschnitt, was das wachsende Vertrauen der Anleger in die technologische Ausrichtung des Unternehmens widerspiegelt.
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Die Installation des MOCVD-Systems von Aixtron an der OSU unterstreicht den Ruf des Unternehmens in der fortschrittlichen Halbleiterforschung. Die Bedeutung von Galliumoxid für die Leistungselektronik der Zukunft nimmt weiter zu, wobei immer mehr Universitäten seine Anwendungsmöglichkeiten erforschen. Angesichts der aktuellen Marktentwicklungen sollten Aktionäre die weiteren Fortschritte dieser Technologie genau verfolgen.
